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BSM35GD120DN2E3224 Infineon Technologies AG 承認されたリソース & 競争価格

  • BSM35GD120DN2E3224 - Infineon Technologies AG - IGBTモジュール
  • BSM35GD120DN2E3224 - Infineon Technologies AG - IGBTモジュール


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製品仕様をご覧ください
品番:
BSM35GD120DN2E3224
Worldway品番:
BSM35GD120DN2E3224-126090
メーカー:
Infineon Technologies AG
カテゴリー:
IGBTモジュール
用途:
自動車 インフォテインメントとクラスター 産業用 電化製品 パーソナルエレクトロニクス ゲーミング
説明:

IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A

RoHS:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫カテゴリー:
ストックするチャンス
ストックリソース:
工場過剰在庫 / フランチャイズディストリビューター
保証:
1年間のワールドウェイ保証 » もっと詳しく知る
EDA / CADモデル:
BSM35GD120DN2E3224 PCBフットプリントとシンボル
データシート:
BSM35GD120DN2E3224 データシート
配送:
配送
貨物計算:
クリックして料金を取得
BSM35GD120DN2E3224(Infineon Technologies AG) 仕様書
  • Manufacturer Part Number:

    BSM35GD120DN2E3224

  • Rohs Code:

    Yes

  • Part Life Cycle Code:

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer:

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description:

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17

  • Pin Count:

    17

  • Reach Compliance Code:

    compliant

  • ECCN Code:

    EAR99

  • Manufacturer:

    Infineon Technologies AG

  • Risk Rank:

    8.39

  • Case Connection:

    ISOLATED

  • Collector Current-Max (IC):

    50 A

  • Collector-Emitter Voltage-Max:

    1200 V

  • Configuration:

    BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • Gate-Emitter Voltage-Max:

    20 V

  • JESD-30 Code:

    R-XUFM-X17

  • Number of Elements:

    6

  • Number of Terminals:

    17

  • Operating Temperature-Max:

    150 °C

  • Package Body Material:

    UNSPECIFIED

  • Package Shape:

    RECTANGULAR

  • Package Style:

    FLANGE MOUNT

  • Peak Reflow Temperature (Cel):

    NOT SPECIFIED

  • Polarity/Channel Type:

    N-CHANNEL

  • Power Dissipation-Max (Abs):

    280 W

  • Qualification Status:

    Not Qualified

  • Subcategory:

    Insulated Gate BIP Transistors

  • Surface Mount:

    NO

  • Terminal Form:

    UNSPECIFIED

  • Terminal Position:

    UPPER

  • [email protected] Reflow Temperature-Max (s):

    NOT SPECIFIED

  • Transistor Element Material:

    SILICON

  • Turn-off Time-Nom (toff):

    450 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton):

    120 ns

  • VCEsat-Max:

    3.2 V

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Part # Manufacturer Description Stock Price
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 DISTI # BSM35GD120DN2E3224BOSA1-ND
Infineon Technologies AG IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 RoHS: Compliant Min Qty: 10 Container: Tray Limited Supply - Call
  • 10 $104.7230
Part # Manufacturer Description Stock Price
BSM35GD120DN2E3224 DISTI # SP000091898
Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: SP000091898) RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tape and Reel Europe - 8
  • 1 €104.7900
  • 10 €96.0900
  • 25 €92.1900
  • 50 €88.6900
  • 100 €85.3900
  • 500 €82.2900
  • 1000 €76.7900
BSM35GD120DN2E3224 DISTI # BSM35GD120DN2E3224
Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: BSM35GD120DN2E3224) RoHS: Compliant Min Qty: 10 Container: Tape and Reel Asia - 0
  • 10 $96.9257
  • 20 $94.2333
  • 30 $91.6865
  • 50 $89.2737
  • 100 $88.1143
  • 250 $86.9846
  • 500 $85.8835
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 DISTI # BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R - Trays (Alt: BSM35GD120DN2E3224BOSA1) RoHS: Compliant Min Qty: 10 Container: Tray Americas - 0
  • 10 $97.6900
  • 20 $94.1900
  • 40 $90.7900
  • 60 $87.6900
  • 100 $86.1900
Part # Manufacturer Description Stock Price
BSM35GD120DN2E3224 DISTI # 641-BSM35GD120DN2E32
Infineon Technologies AG IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A RoHS: Not compliant 24
  • 1 $108.5600
  • 5 $106.5700
  • 10 $101.7700
Part # Manufacturer Description Stock Price
BSM35GD120DN2E3224
Infineon Technologies AG Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel RoHS: Compliant Europe - 20  
Part # Manufacturer Description Stock Price
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 DISTI # XSKDRABV0032779
Infineon Technologies AG   RoHS: Compliant 10
  • 10 $132.3600

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目標単価 (USD)
(持っている場合)
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1+$ 129.5831
10+$ 123.1040
100+$ 116.6248
500+$ 110.1457
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