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SI7792DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 承認されたリソース & 競争価格

  • SI7792DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - RFバイポーラトランジスタ
  • SI7792DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - RFバイポーラトランジスタ


画像は参考用です
製品仕様をご覧ください
品番:
SI7792DP-T1-GE3
Worldway品番:
SI7792DP-T1-GE3-134266
メーカー:
Vishay Siliconix
カテゴリー:
RFバイポーラトランジスタ
用途:
自動車 インフォテインメントとクラスター 通信機器 ブロードバンド固定回線アクセス 産業用 航空宇宙および防衛
説明:

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

RoHS:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫カテゴリー:
ストックするチャンス
ストックリソース:
工場過剰在庫 / フランチャイズディストリビューター
保証:
1年間のワールドウェイ保証 » もっと詳しく知る
EDA / CADモデル:
SI7792DP-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル
データシート:
SI7792DP-T1-GE3 データシート
配送:
配送
貨物計算:
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SI7792DP-T1-GE3(Vishay Siliconix) 仕様書
Manufacturer: VISHAY
Product Category: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Packaging: Reel
Part-Aliases: SI7792DP-GE3
Unit-Weight: 0.017870 oz
Mounting-Style: SMD/SMT
Package-Case: SO-8
Technology: Si
Number-of-Channels: 1 Channel
Configuration: Single with Schottky Diode
Transistor-Type: 1 N-Channel
Pd-Power-Dissipation: 104 W
Fall-Time: 12 ns
Rise-Time: 13 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V
Id-Continuous-Drain-Current: 60 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance: 1.7 mOhms
Transistor-Polarity: N-Channel
Typical-Turn-Off-Delay-Time: 40 ns
Typical-Turn-On-Delay-Time: 15 ns
Qg-Gate-Charge: 90 nC
Forward-Transconductance-Min: 83 S
その他の認定サプライヤー (Worldwayは、すべてのフランチャイズリソースから最高の価格を提供します。)
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7792DP-T1-GE3 DISTI # SI7792DP-T1-GE3-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7792DP-T1-GE3 DISTI # 78-SI7792DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3 RoHS: Compliant 0  

見積依頼

在庫カテゴリー
ストックするチャンス
1100
より多くの量
空室状況のメール
日付コード
1627+
クォータ制限
制限なし
最小注文
100 USD
スポット購入数量(必須)
目標単価 (USD)
(持っている場合)
支払い

単価

1+$ 0.0000
10+$ 0.0000
100+$ 0.0000
500+$ 0.0000
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